据报道，在7月22日于韩国京畿道城南市举行的“商用半导体开发技术研讨会”上，三星电子DS部门半导体研究所的常务董事金大宇透露，公司计划从16层高带宽存储器（HBM）开始逐步引入混合键合技术。

HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM来提升数据处理速度的半导体产品。目前，连接这些DRAM的工艺主要依赖热压键合（TC）技术，而TC键合机是HBM制造过程中不可或缺的设备。

随着HBM层数的增加，堆叠间隙的缩小成为一大挑战。混合键合技术通过去除传统的微凸块（焊球），直接将DRAM与铜连接，从而显著降低HBM的厚度。金大宇指出，当HBM层数超过16层时，现有的热压键合技术将难以满足需求，因此混合键合技术的引入势在必行。

三星电子计划在第7代HBM“HBM4E”中同时采用热压键合和混合键合技术，而从第8代HBM“HBM5”开始将全面转向混合键合技术的量产。目前，已商业化的最新产品是第5代“HBM3E”，其堆叠层数最高为12层。预计现有技术将沿用至第6代HBM（16层“HBM4”），从第7代产品起逐步采用下一代技术。

金大宇还表示，当间距小于15μm时，混合键合技术的优势更加明显，其不仅有助于减少厚度，还具备良好的散热性能，因此公司正在积极研究这一技术方向。