据韩媒ZDNet Korea报道，韩国设备制造商韩美半导体计划投资1,000亿韩元（约合7,142.86万美元），在韩国仁川的朱安国家产业园区建设一座混合键合工厂。该工厂预计2026年下半年完工，总建筑面积约为14,570平方米（约4,415坪），为地上两层建筑。

近年来，随着高带宽存储器（HBM）市场的快速增长，韩美半导体凭借其在HBM专用热压键合机（TC Bonder；TCB）领域的技术优势，成为行业焦点。新工厂将生产多种高端设备，包括HBM用TCB设备、无助焊剂键合机（Fluxless Bonder）、系统半导体用AI 2.5D封装的Big-Die TCB设备，以及混合键合设备等。

韩美半导体此前已在2025年5月推出第六代高带宽存储器（HBM4）专用设备TC BONDER 4，并于同年7月开始量产，同时计划在年内发布无助焊剂键合机。公司相关人士表示，混合键合技术是提升下一代高堆叠HBM性能的关键，此次投资将确保全球存储器厂商能够及时获得开发下一代HBM所需的核心设备。

韩美半导体成立于1980年，目前在全球拥有约320家客户。其第五代高带宽存储器（HBM3E）TCB设备的市场占有率高达90%。