据韩媒Chosun Biz援引业界消息，三星电子正计划在开发中的9纳米级DRAM产品中，引入垂直的4F Square结构，同时继续开发沿用现有6F Square结构的版本。这一策略旨在通过多方布局，重新拉开与竞争对手的差距。

随着DRAM技术的演进，线宽不断缩小，芯片尺寸得以减小，密度和性能得到提升，同时电力效率也有所改善。目前，三星、SK海力士和美光等主要厂商的主力产品为10纳米级第4代（1a）和第5代（1b）DRAM，并计划在2025年下半年量产第6代（1c）DRAM。

然而，进入10纳米以下制程后，制造难度和成本大幅上升，这使得DRAM结构的改变成为必然趋势。为此，存储器半导体厂商正着手将DRAM结构从平面转向垂直，以提高性能和能效。

据业内人士透露，三星计划在10纳米级第7代（1d）DRAM的下一代产品中引入4F Square结构，而SK海力士预计会在更晚的阶段跟进。由于三星可能比SK海力士早一个时代进行开发，因此正在评估各种可能性。三星可能先以9.8纳米制程开发维持6F Square结构的0a DRAM，再在下一代产品中转向9.0纳米制程并引入4F Square结构。

三星电子计划在完成开发后，最快于2027年向客户提供样品，并在3年内实现量产。