韩美半导体会长称HBM4/HBM5无需混合键合设备
来源:陈超月 发布时间:16 小时前
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韩美半导体会长郭东信近日表示,针对高带宽存储器(HBM)市场,HBM4与HBM5生产中使用混合键合设备并不符合实际需求,因其成本过高且效益不明显。
据韩美半导体透露,该公司已开始量产HBM4专用的热压键合机(TC Bonder;TCB),通过改良现有产品切入市场,成为其竞争策略的核心。与混合键合设备相比,TCB的单价仅为前者的一半,且能够满足JEDEC于2025年4月放宽的AI封装厚度标准(775微米)。这意味着HBM4与HBM5均可通过TCB实现高效生产。
与此同时,荷兰业者Besi和韩国韩华Semitech等新进竞争者正积极研发混合键合设备,以争取SK海力士等主要客户的订单。然而,郭东信指出,混合键合设备单价超过100亿韩元(约合725.4万美元),成本劣势明显,因此客户更倾向于选择性价比更高的TCB。
韩美半导体在全球HBM用TCB市场的市占率位居第一。2024年,该公司在供应NVIDIA的HBM3E市场中取得了90%的市占率,并计划在2027年底前将HBM4和HBM5市场的市占率提升至95%。此外,韩美半导体正按照研发蓝图推进新一代技术,目标是在2027年末推出HBM6用混合键合机,同时预计无助焊剂键合机将于2025年内问世。
值得一提的是,韩美半导体在设计、零件加工、软件开发、组装到测试的全流程均由内部统一管理,这一模式为其在技术创新、生产优化和成本控制方面提供了显著优势。
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