三星:HBM内存堆叠技术将迎重大升级
来源:林慧宇 发布时间:6 天前 分享至微信
据报道,三星电子公司副总裁、系统封装实验室负责人Kim Dae-Woo在一场产业研讨会上指出,现有的热压缩键合(TCB)技术难以满足未来20层(16层以上)HBM内存堆栈的生产需求。

在HBM制造中,连接各层DRAM芯片的键合工艺至关重要。传统的TCB技术因包含凸块结构,不仅限制了间距的进一步压缩,还导致更高的热阻。三星电子数据显示,采用无凸块的混合键合(HCB)技术后,堆叠层数可提升约1/3,热阻最多可降低20%。

据悉,三星电子将16层堆叠视为HBM内存键合技术从TCB转向HCB的关键节点。这一转变预计在HBM4E世代实现,并在HBM5世代全面应用混合键合技术。这一升级将为高性能计算和AI领域带来更高效的内存解决方案。
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