据业界消息，SK海力士在高带宽存储器（HBM）市场继续保持领先地位，而三星电子的HBM3E有望在第三季度获得NVIDIA认证。

SK海力士2025年第二季度业绩表现亮眼，营业利润达到9.2万亿韩元（约合67亿美元），同比增长68%，环比增长24%。12层HBM3E的出货量成为主要增长动力之一，同时SK海力士已于3月向客户送样HBM4。据透露，SK海力士对2025年HBM销售额和出货量实现翻倍的目标充满信心。

SK海力士持续加大HBM领域的投资力度，其M15X晶圆厂预计在第四季度投产，主要用于生产包括HBM在内的DRAM产品。2025年资本支出将超出原计划，以应对2026年客户需求的增长。此外，SK海力士表示，HBM在产能分配上已优于普通DRAM，并预计下半年存储器需求将随着客户新品上市进一步提升。

三星电子的HBM3E认证进程备受关注。此前，三星12层堆叠HBM3E已成功打入AMD MI350芯片系列，但NVIDIA认证的多次延迟引发市场担忧。据推测，三星第四次向NVIDIA提交的测试结果最快可能在8月中旬至9月揭晓。若认证通过，三星有望在HBM市场中占据更大份额。

不过，市场对HBM供需关系的担忧逐渐显现。随着AI客户议价能力增强，2026年HBM市场价格可能面临下行压力，甚至可能出现双位数降幅。对此，供应链认为，三星的量产良率提升将是关键，而SK海力士则通过积极投资巩固其市场地位。

值得注意的是，SK海力士、三星和美光均计划在2025年底量产HBM4，2026年将进入HBM4时代。三星计划采用更先进的1c制程技术，试图在HBM4领域实现技术突破，而SK海力士和美光则选择1b制程。这一技术路线的差异或将使2026年的市场竞争更加激烈。

此外，AI数据中心的快速发展为DRAM厂商带来新机遇。随着GPU和ASIC芯片需求的快速增长，HBM总体需求规模预计将在2026年实现倍数增长，延续市场繁荣态势。