据韩媒Deal Site援引消息人士说法，三星电子基于10纳米级第六代1c DRAM的12层高带宽存储器（HBM4）量产时间已从原定的2025年下半年推迟至2026年。尽管如此，三星在1c DRAM技术上取得了显著进展，良率提升至65%，为后续量产奠定了基础。

三星内部将大规模量产准备批准（PRA）的时间点设定在2025年第4季，但对量产仍持谨慎态度。据悉，其1c DRAM并非专为HBM设计，而是先开发用于运算的DRAM晶粒，再逐步扩展至HBM等高端产品。尽管量产时间延后，但重新设计的1c DRAM在效能和良率上均表现出改善迹象。

目前，三星正通过两种方式重新设计1c DRAM：一是在1a和1b版本基础上开发新版本；二是全面重新设计1a和1b DRAM。结果显示，后者在良率提升方面表现更佳，但成本负担也随之增加。芯片尺寸增大虽有助于良率提升，但可生产的芯片数量减少，利润空间受到压缩。

业内人士指出，通过PRA并不意味着量产阶段的良率问题已完全解决。三星仍需完成多项额外测试，以确保在量产阶段维持稳定的良率和产能。目前，SK海力士在HBM市场占据优势地位，其HBM4预计也将在2026年量产。三星能否在技术与成本之间找到平衡，仍是关键所在。