据韩媒RTK News报道，三星电子已完成第六代10纳米级（1c）制程DRAM的开发，并通过内部量产准备批准（PRA）。据悉，三星的1c DRAM将用于第六代高带宽存储器（HBM4），并计划在2025年下半年进入量产阶段。

业内人士透露，三星在开发过程中曾面临良率瓶颈。DRAM开发室长黄祥准（音译）指出设计问题，并推动重新设计，最终克服了量产难题。黄祥准强调，若未在设计阶段彻底修改，将难以取得突破性进展。

与此同时，SK海力士也在积极推进HBM4的研发。据韩媒ET News报道，SK海力士计划在2025年下半年量产基于第五代10纳米级（1b）DRAM的HBM4，并在第七代高带宽存储器（HBM4E）中采用1c DRAM。SK海力士已于2025年3月开始向客户提供HBM4样品。

业内人士分析，SK海力士在HBM领域的快速追赶得益于各部门间的高效沟通与协作。相较之下，三星的设计团队在1c DRAM开发中经历了内部意见分歧，但最终通过重新设计解决了问题。

三星方面对具体进展表示不予置评。不过，1c DRAM的量产准备批准标志着产品已达到内部标准，进入了量产前的最后阶段。这一技术突破或将帮助三星在未来与SK海力士的竞争中占据优势。