据三星电子在2025年度可持续发展报告中透露，公司已成功开发出基于LPDDR DRAM的服务器内存模块SOCAMM2。

尽管因英伟达GB300 "Blackwell Ultra"主板设计的调整，SOCAMM模块尚未进入商业化阶段，但其未来前景被广泛看好，预计将成为Vera Rubin平台的重要组成部分，为Vera CPU提供更灵活、易维护的非板载内存选择。

三星SOCAMM内存模块的设计亮点突出，单条位宽达128bit，采用单面四颗粒焊盘及三固定螺丝孔结构。这种紧凑设计不仅便于批量安装，还优化了服务器的冷却性能，充分体现了三星在内存技术领域的创新能力。

与此同时，三星在1c纳米DRAM内存工艺的开发上也取得重要进展，目前已获得生产准备批准，量产准备工作基本完成。