据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子计划从2025年下半年开始对第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）进行扩产投资。其半导体暨装置解决方案（DS）部门将在韩国平泽四厂（P4）开展相关设备部署。这一举措表明，三星在大幅改善1c DRAM良率后，正加速恢复其在半导体领域的领先地位。

P4厂于2024年竣工后，初期仅部分空间用于NAND Flash生产线，而此次将首次正式引入DRAM产线。以12英寸晶圆为基准，新设的1c DRAM产线月产能预计将达到8万片。此外，三星还计划在2026年初将韩国华城17产线的部分DRAM产线转换为1c DRAM产线，预计每月新增产能约1.5万片。

业内人士指出，三星在近期研发中确认1c DRAM测试良率已显著提升。2025年5月，其良率已达到50%~70%，相比2024年不到30%的水平有了明显进步。这一突破得益于2024年5月全永铉接任DS部门负责人后，对下一代DRAM设计结构进行了大胆调整，成功克服了技术瓶颈。

尽管三星正积极推进1c DRAM量产，但其主要竞争对手SK海力士却采取了更为保守的策略。SK海力士早在2024年8月便完成了1c DRAM的开发，目前测试良率平均超过80%，最高可达90%。然而，SK海力士原定于2025年下半年在韩国利川M14工厂引入相关设备的计划已被推迟至2026年初。外界普遍认为，SK海力士对1c DRAM市场需求持观望态度，因此选择放缓投资步伐。

业内人士分析，三星此次积极投资设备，旨在快速恢复其在DRAM市场的技术优势，并为其第六代高带宽存储器（HBM4）的竞争力提供支持。而SK海力士的谨慎策略则反映出其对市场前景的不同判断。