三星电子近期宣布，其采用10纳米级制程的第六代1c DRAM已完成开发，并进入量产前的最后准备阶段。据韩媒Money Today和ET News援引业界消息，三星已通过内部量产准备批准（PRA），这意味着该产品已符合内部标准，即将进入量产阶段。

自2023年全永铉担任半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人以来，三星不断强化DRAM技术竞争力，并全面优化设计。为提升良率，三星在生产中引入了干式光阻剂等新材料与技术。此前，三星于2022年12月开发出第五代1b DRAM，并于2023年5月实现量产。时隔两年，第六代1c DRAM成功问世。

三星计划逐步减少前代产品的生产比例，扩大1c DRAM的产量，以确保稳定的量产良率。目前，三星已与材料、零件及设备供应商就1c DRAM量产线的投资协议展开讨论。此外，三星正基于1c DRAM开发下一代高带宽存储器（HBM4），目标是在2025年下半年实现量产。

与此同时，竞争对手SK海力士也正以1b DRAM为基础开发HBM4，并计划在2025年下半年量产。据透露，SK海力士已于2025年3月向客户提供样品。业界分析认为，三星将以1c DRAM为突破口，试图在HBM4市场中占据领先地位。

近期，三星在高性能存储器领域动作频频。继向AMD供应12层HBM3E后，三星正与NVIDIA洽谈供货事宜。随着1c DRAM开发完成，三星已开始与多家客户讨论定制化HBM4的供应计划。预计HBM4将从2026年起为三星带来显著的营收增长。