据韩媒ET News报道，三星电子决定在第六代（1c）DRAM中采用干式光阻技术，这一举措为业界首例，或将显著提升产品良率。未来，三星能否借此在下一代DRAM及高带宽存储器（HBM）领域占据竞争优势，成为行业关注的焦点。
光阻剂是曝光工艺中的关键感光材料，主要工艺流程包括涂布、曝光、显影、蚀刻以及去除残余光阻剂。目前，湿式光阻剂仍是市场主流，但干式光阻技术凭借其独特优势逐渐崭露头角。在10纳米以下的先进制程中，湿式光阻剂在显影和去除过程中易因液体表面张力导致图案崩塌，而干式光阻剂通过全程干式操作有效避免了这一问题。
此外，干式光阻剂还具备支持极紫外光（EUV）技术的优势，成为先进制程中不可或缺的关键材料。自2020年起，科林研发与ASML、IMEC等机构合作，共同推进干式光阻技术的研发，并与多家美国材料公司筹备商业化进程。DRAM制造商中，三星和SK海力士均在相关技术研发上有所布局，但三星率先将其应用于实际生产。
据透露，三星已将科林研发的干式光阻设备引入韩国平泽四厂（P4），用于1c DRAM的生产。外界认为，此举不仅是技术上的革新，更是三星为恢复1c DRAM竞争力的重要尝试。通过提升微细电路图案的质量，干式光阻剂将有助于制造高可靠性的DRAM，为HBM性能的提升奠定基础。
