据报道，业界于6月19日透露，三星电子在上个月完成的第六代10nm级DRAM晶圆性能测试中，取得了50%到70%的良率。相比去年同一产品的良率不足30%，这一成果标志着显著的技术进步。
为提高芯片效率和生产效率，三星研究团队实施了多种新结构优化措施。为了在测试结束后迅速投入生产，三星还提前部署了生产线。业内人士指出，三星电子在资源储备上远超SK海力士和美光科技，其能否延续过去通过“规模经济”提升成本竞争力并以大规模生产向竞争对手施压的战略，值得持续关注。
此外，此次量产的成功预计将显著提升三星电子计划年内推出的第六代HBM（HBM4）的竞争力。平泽第四工厂的DRAM生产线将主要生产用于移动端（LPDDR）和服务器应用的产品，而HBM4的第六代10nm级DRAM生产设施则位于平泽第三工厂。
业内人士表示，由于DRAM核心存储单元的结构在移动/服务器DRAM和HBM之间具有高度相似性，这一进展将对HBM4的开发产生积极影响。基于此次量产的成功，三星电子可能会加大对平泽第三工厂HBM4工艺的投资力度。
