据韩媒Chosun Biz援引业界消息，三星电子正逐步减少HBM2E的产量，同时将资源集中于第五代HBM（HBM3E）和第六代HBM（HBM4）的开发与生产。这一调整的背后，是中国存储器企业在成熟制程市场中的崛起，对三星等传统存储器巨头构成了巨大压力。

长鑫存储等在DDR4等成熟制程产品上采取低价策略，大量投放市场，导致产品价格加速下跌。这使得三星和SK海力士等韩国厂商难以维持盈利水平，不得不大幅削减DDR4和HBM2E等产品的产量。

目前，HBM市场的主要竞争集中在HBM3E产品上。SK海力士已为NVIDIA供应8层和12层HBM3E产品，而美光也通过了NVIDIA的品质测试，正扩大8层HBM3E的产能。三星则正在努力通过NVIDIA的HBM3E品质测试，目标是在2025年下半年完成认证。

与此同时，HBM4市场预计将在2026年正式开启。三星、SK海力士和美光均已展开HBM4的开发与量产准备。业内人士透露，SK海力士计划在2025年上半年敲定2026年的12层HBM3E和12层HBM4供应量。若三星在HBM3E和HBM4的品质测试中延迟，可能会被竞争对手抢先锁定供应量，进一步拉大市场差距。

对三星而言，当前最紧迫的任务是通过NVIDIA的品质测试，确保未来在高附加值HBM市场的竞争力。