据媒体报道，全球IP（硅知识产权）领导厂商円星科技（M31）近日宣布，其eUSB2 PHY IP已在台积电3纳米制程完成硅验证，并在2纳米制程完成设计定案。

M31正加速研发次世代eUSB2V2 PHY IP，同步布局台积电N3与N2制程。这项新技术引入“非对称带宽架构”，支持TX/RX差异化传输速率，将带宽从480Mbps大幅提升至4.8Gbps，同时保持仅0.5V的低电压运行。该设计特别适用于AI边缘运算设备，能够有效平衡影像处理芯片的高速传输需求与功耗限制，目前已获得多家顶级手机芯片厂商导入验证。

台积电先进技术业务开发处资深处长袁立本表示：“很高兴与M31携手推进IP技术创新，支持未来产品开发。”台积电通过与OIP合作伙伴的紧密协作，将共同推动下一代AI与高效能运算应用，充分发挥台积电先进制程的优势。

M31总经理张原熏在台积电北美技术论坛上强调，凭借深厚的USB PHY IP开发经验以及与台积电长期紧密的合作关系，M31的eUSB2 IP已在多个先进制程节点成功完成硅验证。通过增强I/O架构的灵活性，单一IP能够同时满足智慧监控、车用传感等多元应用场景，帮助客户缩短50%以上的设计周期。