据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子正计划重启位于韩国平泽的P5厂建设计划。这一项目在2024年初因存储器市场需求低迷和技术挑战而暂停，但随着高带宽存储器（HBM）和次世代DRAM技术的改善，以及AI半导体市场的快速增长，三星决定重新推进这一投资计划。

P5厂是三星半导体暨装置解决方案（DS）部门在平泽园区的第五座晶圆厂，占地面积达650x195米，预计总投资超过30万亿韩元（约合220亿美元）。这座多层结构的工厂将成为整合DRAM、NAND Flash和晶圆代工等多条产线的复合型晶圆厂。据业内人士透露，P5厂最快可能在2025年10月开始大规模施工。

事实上，三星早在2023年就启动了P5厂的基础工程，但由于存储器市场疲软，DS部门在2024年初面临营收骤减和巨额亏损，导致项目一度停滞。此外，三星在HBM和晶圆代工领域曾落后于SK海力士和台积电，技术劣势也成为暂停扩建的原因之一。

随着第六代10纳米DRAM和第五代HBM3E等核心产品技术的回升，三星重新调整了产品路线图，并决定在2025年内重启P5厂建设。AI半导体市场的快速增长进一步推动了这一决策。数据显示，全球AI半导体市场规模预计将从2022年的411亿美元增长至2028年的1,330亿美元，而P5厂预计将在2028年正式投产。

与此同时，三星还计划在平泽第四厂（P4）空出的空间中安装多套半导体设备，并加速推进韩国龙仁半导体园区的建设计划。业内人士推测，P5厂完工后，三星可能直接跳过P6厂，优先在龙仁园区启动新项目。

针对这一消息，三星相关人士表示，目前公司正在对P5厂的工程重启进行分析与评估。