三星平泽P4工厂加速扩建,DRAM与NAND布局调整
来源:万德丰 发布时间:2025-06-25 分享至微信
据报道,三星电子位于平泽的第四园区工厂(P4)的第二期(PH2)和第四期(PH4)建设正在加速推进。总投资约7万亿韩元的外部工程预计将于今年下半年正式启动。这一扩建计划引发了业界对三星未来半导体生产布局的高度关注。

去年曾有消息称,平泽P4工厂将分为四个阶段建设,涵盖代工和存储芯片生产线。按照最初规划,PH1为存储芯片生产线,PH2为代工生产线,PH3和PH4则分别对应存储和代工业务。然而,PH1的设计已从单一的NAND闪存工厂调整为同时生产NAND和10纳米级第四代(1a)DRAM的混合工厂,目前设备安装已进入最后阶段。

三星内部仍在权衡PH2的具体用途,可能将其作为DRAM专用生产基地,也可能改造成混合晶圆厂。这一决策或将对三星未来的产能分配和技术布局产生重要影响。随着P4工厂逐步建成,三星在全球半导体市场的竞争力有望进一步增强。
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