近日，三星电子DS部门负责人全永铉访问英伟达总部，双方就为GB300 Blackwell Ultra供应12层高带宽内存（HBM3E）展开具体讨论。据知情人士透露，三星在会谈中强调，其基于第四代10纳米级DRAM（1a）制造的12层HBM3E存储器质量与竞争对手相当，并探讨了明年向Blackwell Ultra供货的可能性。

据悉，全永铉上周前往硅谷，与英伟达就HBM3E芯片的质量认证和供应计划交换了意见。消息人士称，三星内部对此次合作持乐观态度，认为其产品性能已达到行业领先水平，且此前已与其他客户如AMD达成供货协议。

三星电子近期宣布，将为AMD的人工智能加速器MI350X系列提供12层HBM3E。随着MI350X性能超出预期，市场对三星产品的信任度显著提升。业内人士分析，三星对英伟达的质量认证充满信心，认为其产品性能不会出现问题。