据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉近日访问美国硅谷，并与NVIDIA就12层第五代高带宽存储器（HBM3E）的供应事宜展开协商。外界分析，三星此举意在凭借其品质提升的信心，争取成为NVIDIA的重要供应商。

韩媒披露，三星与NVIDIA讨论了12层HBM3E产品的品质认证以及2026年的供应可能性。韩国业内人士透露，三星强调其12层HBM3E基于改良后的第四代10纳米级DRAM（1a），其性能不逊于竞争对手，并探讨为NVIDIA的Blackwell Ultra产品大规模供货的可能性。

值得一提的是，三星此前已成功为全球第四大IC设计企业超微（AMD）供应12层HBM3E。超微在其新型AI加速器MI350X和MI355X中采用了三星的这款高规格存储器，产品表现超出预期，进一步提升了市场对三星技术实力的认可。

NVIDIA计划从2025年底开始出货Blackwell Ultra，目前其所需的12层HBM3E已与SK海力士和美光签订供应合约。然而，SK海力士和美光虽宣布2025年HBM产能已售罄，但对2026年的供应情况却保持沉默。业界推测，NVIDIA可能正在推迟2026年的最终供应合约签署，部分原因是为了观察三星的进展。

此外，三星还计划在2025年7月至8月间交付HBM4样品，而NVIDIA正考虑在收到三星样品后再决定2026年下半年Vera Rubin的HBM4采购计划。SK海力士和美光分别在今年3月和6月交付了HBM4样品。

业内人士评价称，全永铉自上任以来，三星存储器业务的竞争力正在快速恢复。在2025年3月的股东大会上，全永铉表示，三星正在努力提升HBM3E产品的竞争力，预计最快在2025年第二季度，最晚在2025年下半年，12层HBM3E将在市场上占据主导地位。