据韩媒Herald经济报道，三星电子存储器事业部多名核心高层于5月底前往美国NVIDIA总部，积极推动高带宽存储器（HBM）等产品的供货合作。业界推测，三星已将2025年第二季度前大规模供应HBM3E作为内部首要目标。
据悉，三星半导体高层近期频繁访问NVIDIA总部。例如，2025年2月，三星半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉曾亲自与NVIDIA CEO黄仁勋会面，探讨多项合作议题。同年5月初，全永铉还率领团队前往硅谷，与苹果、NVIDIA等科技巨头展开交流。
为确保HBM3E的供货顺利推进，三星高层此次出访的重点在于确认最后阶段的品质测试，并协调供货时间与数量。由于NVIDIA未来对HBM的需求将大幅增加，韩国业界普遍认为三星的大量供货计划有望实现。
据传，NVIDIA计划在2025年下半年推出搭载12层HBM3E的最新AI芯片GB300，并已开始向主要客户供应样品。然而，当前SK海力士和美光的HBM产能可能无法满足Blackwell系列订单需求，这为三星提供了重要机会。不过，美光也被传将在2025年下半年供应12层HBM3E，竞争态势依然激烈。
除了HBM，三星还计划通过GDDR、SOCAMM等多元化产品线抢占NVIDIA的市场。据韩国业界透露，三星将为中国市场定制的低价AI加速器B40提供GDDR7。B40价格在6500至8000美元之间，较之前的H20更具竞争力。摩根士丹利估算，这一合作每年可为三星带来超过3.8亿美元的营收。
此外，韩媒Ddaily报道称，三星的12层HBM3E已通过NVIDIA的裸晶测试，目前仅剩最终封装状态下的品质验证。
