6月12日，在圣何塞会议中心举行的AI Advancing 2025大会上，AMD宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X将采用三星电子和美光的12层HBM3E芯片。这是AMD首次正式确认与三星电子的合作关系。

MI350X和MI355X在本质上为同一芯片，仅在散热设计上有所不同，从而影响其最大运行速度。两款产品均配备288GB的内存容量，相比上一代MI300X的192GB和MI325X的256GB，内存容量提升了12.5%。在捆绑8个图形处理单元（GPU）的平台级别，将应用总计2.3TB的HBM3E显存。AMD还计划通过捆绑多达128个GPU的服务器机架，进一步提升销量，这将为三星带来大规模HBM芯片供应需求。

据AMD透露，计划于明年推出的MI400系列将搭载HBM4显存，每个GPU配备432GB的HBM4显存。Helios服务器机架配置72个MI400系列GPU，每个机架将集成31TB的HBM4显存，其AI计算能力是当前MI355X服务器机架的10倍。AMD CEO苏姿丰强调，其计算能力与英伟达的Vera Rubin服务器机架相当，但HBM的容量和带宽是后者的1.5倍。

随着JEDEC规范的最终确定，HBM4正进入全面生产阶段。三星电子和SK海力士计划在2025年底前实现HBM4量产。三星电子在当前一代HBM竞争中稍显落后，但其目标是凭借基于第六代10nm级（1c）工艺的高性能HBM4扭转局面。SK海力士和美光则基于第五代10nm级（1b）工艺开发HBM4。据市场调研公司Omdia数据，今年第一季度，SK海力士占据全球DRAM市场36.9%的份额，三星电子以34.4%紧随其后，美光则为25%。