据韩媒首尔经济报导，AMD在近日于美国圣荷西会议中心举行的“AMD AI Advancing 2025”活动上，正式确认其新款人工智能加速器MI350系列将采用三星电子的12层第五代高带宽存储器（HBM3E）产品。同时，美光也将为该系列提供存储器支持。
MI350系列包含MI350X和MI355X两款芯片组，尽管因散热设计差异导致运行速度有所不同，但两款产品的存储器容量均为288GB，相较前一代MI300X增加了12.5%。由于该系列是以8个GPU组成的平台，预计总共将应用2.3TB的HBM3E。此外，AMD还计划推动以机柜为单位的解决方案，单一机柜最多可容纳128颗GPU，这为三星带来了大量供应HBM的潜在机会。
在HBM4领域，AMD计划在2026年推出的MI400系列中，为每颗GPU搭载432GB的HBM4。随着联合电子设备工程委员会（JEDEC）敲定HBM4规格，三星、SK海力士等厂商正加速推进量产计划。三星计划采用更先进的第六代10纳米级（1c）DRAM技术，以在HBM4市场中追赶SK海力士和美光的竞争优势。
据市调机构Omdia统计，2025年第一季度全球DRAM市场中，SK海力士以36.9%的市占率位居第一，三星和美光分别以34.4%和25%紧随其后。业内人士指出，若三星无法在HBM4领域取得突破，其与SK海力士的差距可能进一步扩大。与此同时，AMD也希望通过MI400系列缩小与NVIDIA在AI加速器市场的差距，这使得三星与AMD的合作关系显得尤为重要。
