在美光（Micron）2025财年第3季度财报会议上，分析师对高带宽存储器（HBM）相关进展进行了犀利提问。HBM3E和HBM4的产能、良率、送样进度及客户认证成为讨论焦点。
据之前报道，美光12层36GB HBM3E已通过NVIDIA品质验证并开始交付，成为继SK海力士后第二家供应商，预计用于NVIDIA B300平台。相较之下，三星电子在NVIDIA认证方面仍未取得突破，引发市场关注。
分析师提问，若竞争对手（暗指三星）到2026年仍未能通过NVIDIA认证，美光是否有能力扩产满足客户需求。对此，美光回应称，12层HBM的产能提升速度比8层更快，且良率表现优异。公司对当前产能、良率及客户信任度均表示满意。
美光进一步指出，12层HBM3E和HBM4均采用1ß（1-beta）DRAM制程技术，具备成本优势。HBM产能可与其他产品灵活调配，有助于满足客户需求。此外，美光正扩大HBM后段产能，计划在新加坡整合组装和封装产能，预计2027年投产。
美光还透露，HBM产品在2025年已全部售罄，目前正与客户紧密合作，优化12层HBM3E和HBM4的产品组合。12层HBM3E已投入量产，良率提升表现良好；HBM4则已向多家客户送样，预计2026年初量产。
SK海力士方面，2025年初已送样HBM4，计划下半年量产，采用1b DRAM制程技术。而三星选择押注第六代1c DRAM制程，预计下半年量产，但良率问题仍存隐忧。据韩媒《朝鲜日报》报道，三星1c DRAM良率目前在50%-70%之间。
尽管三星计划在华城和平泽厂扩大1c DRAM产能，但其在NVIDIA 12层HBM3E认证上的进展滞后，使得外界对其HBM4供货能力持观望态度。美光则凭借技术和产能优势，占据有利地位，预计2026年可满足HBM4市场需求。
