中微正全力推进高端设备研发，以加速摆脱对美国技术的依赖。据中微半导体设备董事长兼总经理尹志尧透露，公司正高强度投入研发，集中开发超过20款高端半导体设备，涵盖蚀刻、薄膜沉积、量测等多个关键领域。

中微（上海）近日在临港新基地召开2024年度及2025年第一季度财报说明会，会上公布了最新运营成果。数据显示，2024年公司营收达90.65亿元人民币，同比增长44.73%；净利润为13.88亿元，同比增长16.51%。2025年第一季度延续高增长态势，单季营收同比增长35.40%，达到21.73亿元。

研发方面，中微表现尤为突出。2024年研发支出高达24.52亿元，占营收比重超过27%，同比增长94.31%。2025年第一季度研发支出同比大增90.53%。尹志尧表示，高强度研发显著提升了产品迭代速度，过去新设备从开发到量产需要7年，如今最快仅需1.5年。

目前，中微正在开发的高端设备包括次世代CCP高能电浆蚀刻机、ICP低能电浆蚀刻设备、晶圆边缘蚀刻机、LPCVD与ALD薄膜沉积设备等。同时，公司通过投资与成立子公司，积极布局量测设备领域。在泛半导体应用方面，中微的MOCVD设备继续保持领先，并拓展至碳化硅功率器件和Micro LED等新兴领域。

为降低对美国零部件的依赖，中微已与超过800家本土供应商建立合作关系，逐步构建自主供应链。尹志尧强调，美国关税政策对公司影响有限，中微已具备较强的本土化能力。