近日，3D DRAM技术厂商NEO Semiconductor宣布推出两款全新的3D X-DRAM单元设计，分别为1T1C（单晶体管单电容）和3T0C（三晶体管零电容）。据NEO Semiconductor透露，这两款设计预计将于2026年进入概念验证测试芯片阶段，其密度高达512Gb，可提供当前传统DRAM模块10倍的容量。

NEO Semiconductor的3D X-DRAM技术借鉴了3D NAND Flash的设计思路，通过增加堆栈层数来大幅提升内存容量。2023年，该公司曾推出首款3D DRAM单元设计“1T0C”（单晶体管零电容），采用类似于3D NAND Flash的FBC浮栅极技术。通过增加一层光罩形成垂直结构，该设计可实现230层堆栈，核心容量达到128Gb，而当前主流2D DRAM的容量仅为16Gb，实现了8倍的提升。此外，该设计还具备高良率、低成本和高密度的特点。

此次推出的1T1C设计是一种高密度DRAM的核心解决方案，与主流DRAM和HBM路线图完全兼容；而3T0C设计则针对电流感应操作进行了优化，特别适合人工智能和内存计算领域。根据TCAD（技术计算机辅助设计）模拟验证，这两款设计的读/写速度可达10纳秒，保留时间超过450秒，显著降低了刷新功率。

NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“通过1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在突破当前DRAM的扩展限制，为下一代内存技术铺平道路。”