据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子内部已决定将垂直通道晶体管（VCT）DRAM作为核心次世代存储器产品，并计划在未来3年内实现量产。这一举措旨在领先竞争对手SK海力士，重塑三星在存储器市场的“超级领先者”地位。

VCT DRAM，又称V-DRAM或3D DRAM，通过将控制电流的晶体管垂直排列，相比传统水平排列方式可容纳更多晶体管，从而实现更大容量。这项技术被视为存储器领域的重要突破。然而，其制程复杂度远高于现有技术，不仅前段制程难度显著提升，还需采用先进封装技术以克服多项技术瓶颈。

目前，三星正在量产10纳米级第五代DRAM（1b DRAM），并计划在2025年推进至第六代1c DRAM的量产。同时，三星已制定2026年量产1d DRAM和2027年量产10纳米以下第一代DRAM的时程表。在此基础上，三星权衡了第八代DRAM（1e DRAM）与VCT DRAM两条技术路线，最终选择了后者，以期在技术竞争中占据先机。

此外，三星内部负责第八代DRAM的先期研究团队已与第七代研究团队合并，以加速研发进程。业界预计，最快2~3年内将见到VCT DRAM的样品。不过，三星相关人士回应称，目前尚未最终确定具体的DRAM技术蓝图。

这一计划若顺利实施，三星有望率先开启“3D DRAM”时代，对存储器产业带来深远影响。