据韩国半导体行业消息，三星电子近期宣布了一项重大战略计划，将在未来三年内实现新一代垂直通道晶体管（VCT）DRAM的量产。这一技术被视为突破当前DRAM物理极限的关键，三星希望通过率先商业化3D DRAM，巩固其在全球存储市场的领导地位。

目前，三星正在量产第五代10纳米级DRAM，并计划在2025年推出第六代产品。与此同时，三星已跳过第八代1e纳米制程的研发阶段，直接转向更具前瞻性的VCT DRAM开发。相较之下，竞争对手SK海力士则采取渐进式策略，规划第七代1b纳米DRAM后，再逐步导入1a纳米及后续的3D DRAM技术。若三星计划顺利推进，其技术路线图将比SK海力士提前至少一代。

三星电子DS部门已明确将VCT DRAM作为下一代存储产品的核心方向，并启动相关研发与量产准备工作。VCT DRAM采用垂直堆叠结构设计，在传统平面工艺基础上进一步优化了电流控制效率。这种架构不仅能够提升单位面积内的存储密度，还能有效缓解10纳米以下制程面临的漏电和干扰问题。

值得注意的是，三星近期还宣布将在美国硅谷设立3D DRAM专项实验室，专注于垂直通道晶体管（VCT）和堆叠式DRAM（VS-CAT）两大技术路径的研究。其中，4F2 VCT DRAM可减少约30%的单元面积，而VS-CAT DRAM则通过晶圆对晶圆混合键合技术实现多层堆叠。业界预测，三星的目标是在2025年完成4F2 VCT DRAM原型开发，并在2028年前实现VS-CAT DRAM的量产化。