近日，美国存储器公司NEO Semiconductor推出了一项突破性技术——基于1T1C和3T0C架构的3D X-DRAM单元，据悉，这项技术预计将在2026年进入概念验证测试芯片阶段。
据NEO Semiconductor介绍，该技术采用类似3D NAND的架构设计，将DRAM的高性能与NAND的制造优势相结合，能够实现经济高效的高产量生产。其密度高达512Gb，比传统DRAM提升了10倍，同时兼具低功耗和高可扩展性，适用于人工智能、内存计算等高要求的数据应用。
具体来看，1T1C单元通过集成一个电容器和一个晶体管，并采用IGZO（铟镓锌氧化物）通道技术，显著增强了数据保留能力，模拟显示保留时间可达450秒，大幅降低了刷新功率。而3T0C单元则由三个晶体管组成，包括写入、读取和存储晶体管，其中存储晶体管通过在栅极中保存电子实现数据保留。这种设计不仅适用于传统DRAM应用，还能满足新兴的内存计算需求。
图源：NEO Semiconductor
该技术还具备多项优势。通过TCAD模拟验证，其读写速度可达10纳秒，同时保留时间超过450秒。制造方面，其工艺基于改进的3D NAND技术，只需少量改动即可快速集成到现有DRAM生产线中。此外，独特的阵列架构显著提升了内存带宽，并降低了功耗，非常适合人工智能、边缘计算等高性能工作负载。
NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示，这项创新突破了当前DRAM的扩展限制，重新定义了存储技术的可能性。此前，该公司曾于2023年推出全球首个类似3D NAND的DRAM技术，并在2024年发布了3D X-AI芯片技术，目标取代目前用于AI GPU加速器的HBM。
