据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子计划在2025年6月完成对供应给NVIDIA的第五代高带宽存储器（HBM3E）的品质测试（Qual test）。这一认证过程已历时一年多，进展缓慢，能否顺利完成备受关注。

三星在2025年3月已通过NVIDIA对其温阳园区的封装测试审核（audit），达到了最低要求。温阳园区是三星在韩国的后段制程专业基地，负责DRAM、NAND Flash及CMOS影像传感器（CIS）等产品的封装测试。封装测试审核主要检查芯片的电气与物理特性、发热与寿命等可靠性，以及异常发生时的应对流程。

由于通过了封装测试审核，三星内部对通过品质测试抱有较高期待，并全力推动相关工作。目前，NVIDIA的高端人工智能（AI）加速器采用的是12层HBM3E，由SK海力士与美光供应，而三星正努力争取通过NVIDIA的认证。

在HBM市场上落后，三星的半导体业绩也受到影响。数据显示，三星半导体暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门的营业利润从2024年第二季度的6.5万亿韩元（约45亿美元）下降至第三季度的3.9万亿韩元，第四季度进一步降至2.9万亿韩元。

市调机构Counterpoint Research数据显示，2025年第一季度，SK海力士以36%的销售额占据全球DRAM市场第一，三星以34%退居第二，这是三星33年来首次失去领先地位。

值得注意的是，三星通过品质测试的目标时间点，与三星副会长全永铉上任满一年的时间点相近。自2024年5月上任以来，全永铉将“重振DRAM业务竞争力”作为核心目标，并兼任存储器事业部长，亲自领导HBM新一代产品的开发。

2025年2月，全永铉亲自携带10纳米级第五代（1b）DRAM的改良样品前往美国拜访NVIDIA。对于第六代产品HBM4，三星决心夺回市场主导权。全永铉表示，三星将加快12层HBM3E的市场供应速度，并积极回应HBM4等新一代产品的客户需求。

据三星相关人士透露，基于10纳米级第六代（1c）DRAM的HBM4正以2025年下半年量产为目标进行开发。业界预测，首次采用混合键合（Hybrid Bonding）技术的HBM4，预计将在2025年底或2026年初亮相。