据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子可能自2025年2月起针对NVIDIA的12层HBM3E启动“先行量产”。这一举动被业内解读为三星对其6~7月通过NVIDIA品质测试充满信心，意在确保届时能够及时供货。然而，也有担忧指出，若品质测试再度延迟，可能造成三星库存积压，带来潜在风险。

12层HBM3E是目前最先进的高带宽存储器（HBM），采用三星第五代10纳米级1a DRAM技术。三星原计划从2024年下半年开始供货，但因种种原因导致计划一再推迟。为此，三星推出改良版产品，持续努力进入NVIDIA供应链，目标是在2025年6~7月完成品质测试。

与此同时，三星自2025年2月起已将生产切换至12层HBM3E的先行量产体制。尽管此前因需求不足导致产线运转率不佳，但目前几乎已达到满载状态。据估算，以2025年初为基准，三星HBM3E月产能约为12万~13万片。

三星2024年中投入产线的硅通孔（TSV）设备，自2025年第一季度起开始启用，同时增加了用于HBM的1a DRAM晶圆投片量。在尚未完成NVIDIA品质测试的情况下，三星加紧提升产量，被认为是一种战略考量。HBM从核心DRAM晶粒制造到封装完成需耗时约5~6个月，若三星能在6~7月获得量产批准，提前备货将有助于精准把握市场需求。

此外，NVIDIA计划在2025年下半年推出新款人工智能加速器Rubin，需求可能逐步转向HBM4。若三星未能抓住12层HBM3E的供货时机，或将错失良机。韩国半导体业界人士透露，三星内部普遍认为NVIDIA的量产批准即将到来，因此提前增产，以期通过供货提振业绩。

三星2025年第一季度的HBM供应量较低，影响了业绩表现，接下来能否如期供货12层HBM3E对第二季度业绩至关重要。