据韩媒Hankooki报道，三星电子计划在2025年7月至8月期间通过NVIDIA对12层HBM3E的品质验证测试。这一目标时间点比此前传闻的2025年6月稍有延后，但依然备受关注。三星此前已进入前期量产阶段，若能在2025年底前获得NVIDIA的供货批准，将对其DRAM业务市占率提升起到关键作用。

HBM3E是第五代高带宽存储器，三星对其使用的第四代10纳米级（1a）DRAM进行了结构重整。然而，NVIDIA以速度未达标准为由，尚未批准其供货。据业内人士透露，三星内部对能否通过验证持高度危机意识。若未能如期供货，三星可能不得不调整其HBM战略，甚至放弃HBM3E，转而专注于第六代HBM（HBM4）的研发与量产。

HBM4预计在2025年下半年进入量产与商用阶段，相比HBM3E，其带宽更高、堆叠容量更大，未来有望与新型互连技术（如CXL）协同运作，进一步提升AI与高效运算（HPC）性能。

值得注意的是，2025年第一季度，三星传出已率先量产12层HBM3E的消息，市场普遍认为这是其即将获得供货批准的信号。尽管通过NVIDIA的品质门槛存在一定难度，但针对部分规格下调的AI加速器，三星在2025年内供货的可能性仍被看好。

此外，三星在2025年第一季度财报会议中提到，已完成HBM3E改良版样品的供应，并预计在第二季度逐步扩大销售。若三星能在2025年下半年成功供货NVIDIA，其DRAM业务市占率有望快速回升。

据市调机构Counterpoint Research统计，2025年第一季度，DRAM市场中SK海力士以36%的市占率领先，三星则为34%。未来三星能否通过NVIDIA验证，将成为影响市场格局的重要变量。