据韩国媒体sedaily报道，三星电子已制定未来三年内量产次世代内存“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的技术蓝图。外界分析认为，三星此举意在超越竞争对手SK海力士，提前一个世代实现量产，以重新确立其技术领先地位。

VCT DRAM是一种将内存单元中控制电流流动的晶体管垂直排列的创新产品。相比传统平面结构，这种设计能够容纳更多晶体管，从而实现更高容量，被视为“游戏规则改变者”。然而，其制造工艺复杂，不仅对前段制程（晶圆制作）要求极高，还需采用过去DRAM生产中未曾使用过的先进封装技术，技术门槛显著提升。

目前，三星电子正量产10nm级第五代DRAM，并计划今年推出第六代产品。随着第七代产品的开发时间表敲定，三星在第八代（1e）DRAM与VCT DRAM之间做出权衡，最终选择了后者作为技术路线。而SK海力士则计划依次推进第七代DRAM、1纳米级第一代（0a）DRAM，以及垂直DRAM（VG）的导入。如果三星按计划推进，将率先开启“V DRAM时代”。

此外，有消息称，三星电子已将负责第八代产品的前期研究团队与第七代团队合并，以集中力量推动新技术研发。业内人士预计，VCT DRAM有望在2至3年内推出实体产品。这表明三星希望通过领先的技术布局，重拾市场领导地位。

对此，三星电子回应称，“尚未确定具体的DRAM产品蓝图”。