据韩媒朝鲜日报报道，联合电子设备工程委员会（JEDEC）近期在官网公布了第六代高带宽存储器（HBM4）的标准规格，其中HBM4的平均高度被设定为775微米（μm），高于最初讨论的720μm。这一调整为三星电子和SK海力士减轻了技术导入压力，使其能够利用现有DRAM堆叠技术实现HBM4的量产。

三星与SK海力士计划在2025年下半年正式量产HBM4。目前，SK海力士已于2025年3月向主要客户提供了12层HBM4样品，而三星也计划从2025年下半年开始量产。此外，美光（Micron）同样预计将通过优化现有制程参与HBM4的市场竞争。

JEDEC还规定了HBM4的带宽为每秒最高2TB（Terabyte），并明确了制造HBM4所需的DRAM堆叠层数，分别为4层、8层、12层和16层。SK海力士此前提供的12层HBM4样品已完全符合这一标准。

过去曾有预测认为，三星与SK海力士可能需要提前导入“混合键合（Hybrid Bonding）”等新技术以满足原定的720μm高度标准。但JEDEC最终采纳了业界意见，将高度放宽至775μm，从而避免了新技术导入的紧迫性。这一调整或将加剧HBM4市场的竞争态势。