据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。

在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e nm工艺和VCT DRAM技术。经过深入研究和对比，三星最终选择了VCT DRAM技术。相较于1e nm，VCT技术在性能和效率方面表现更优。为加快研发进度，三星电子还将原1e nm的先行研究团队并入1d nm研发团队，集中力量推进1d nm工艺的开发。

VCT DRAM技术是一种新型存储技术，采用垂直通道晶体管结构，能够实现更高的存储密度和更低的功耗，被广泛认为是未来DRAM技术的重要发展方向。这一技术的引入，或将显著提升三星在DRAM领域的竞争力。