据Tom's Hardware和Wccftech报道，英特尔（Intel）计划在2025年6月的VLSI Symposium论坛上，正式公布其1.8纳米制程节点Intel 18A的技术细节。该制程将首次整合RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）与PowerVia背面供电技术，显著提升芯片的性能、效率和密度（PPA）。

Intel 18A制程预计将在2025年下半年应用于Panther Lake处理器，并于2026年扩展至Clearwater Forest服务器芯片。数据显示，相较于英特尔的3纳米制程，在1.1V电压条件下，Intel 18A在标准ARM核心子区块中可提升25%的性能，同时降低36%的功耗；在0.75V电压条件下，性能提升18%，功耗降低38%。整体而言，其每瓦性能提升约15%，芯片密度可提高30%。

在设计层面，Intel 18A提供高效能（HP）和高密度（HD）两种标准单元库，垂直尺寸分别减少至180CH和160CH，较之前缩减25%。采用背面供电架构后，电源线路从芯片正面移除，为信号布线腾出更多空间，进一步优化面积利用率与功耗效率。此外，PowerVia技术还改善了高效能运行下的电力稳定性。

与此同时，台积电预计在2025年推出2纳米N2制程，几乎覆盖所有主要芯片设计客户。然而，英特尔仍将Intel 18A视为其晶圆代工业务的重要转折点。随着Intel 18A在2025年下半年进入量产，这将是英特尔能否重返先进制程领先地位的关键所在。