据半导体业者透露，台积电、英特尔和三星在制程技术上的竞争持续成为焦点。英特尔计划在2026年量产18A制程时引入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）技术，而台积电则决定在2028年量产A14制程时仍不采用该技术，双方策略截然不同。

英特尔此前曾因未及时采用ASML的极紫外光（EUV）设备而受到批评，认为这一决策拖累了其晶圆代工能力。因此，英特尔已包下ASML当年计划制造的5台High-NA EUV设备，展现出积极布局的姿态。

相比之下，台积电的策略更注重成本效益。台积电全球业务资深副总经理张晓强表示，虽然High-NA EUV设备性能优越，但其价格高昂，使用该技术可能使制程成本比传统EUV高出2.5倍。因此，台积电在A14制程中仍选择不采用High-NA EUV设备，力求将光罩增加数量控制在最低，以维持成本优势。

此外，台积电与三星在环绕闸极（GAA）架构的导入上也采取不同策略。台积电选择在2纳米制程才引入GAA架构，而三星则在3纳米制程中率先采用。尽管外界曾预测三星在GAA架构上具备经验优势，但台积电凭借3纳米制程的稳定性，成功抓住AI商机，并计划如期在2023年下半年量产2纳米制程，继续保持领先地位。

单凭英特尔抢先采用High-NA EUV技术，尚无法断定其能重新夺回制程技术的领导地位。未来几年，三大巨头的技术路线选择将成为行业关注的核心。