据韩媒ET News报道，三星电子正计划打造第十代3D NAND Flash（V10）生产体系，预计从2026年3月起开始建设V10产线。该产线将用于生产堆叠超过400层单元的3D NAND Flash，预计同年10月正式进入量产阶段。
据悉，三星将在2026年3月起引进相关设备，并在上半年完成产线建置。经过试产和稳定化流程后，计划于2026年10月正式量产。韩国业界相关人士透露，尽管市场情况存在变数，但三星正按照既定时间表推进投资和建设计划。
此前有预测称，三星可能在2025年实现V10量产，但因良率、投资成本及市场状况等问题，量产计划被推迟。据传，三星V10产品的堆叠层数有望达到430层，这将需要采用极低温蚀刻设备以及混合键合（Hybrid Bonding）技术中的晶圆对晶圆（W2W）连接技术。
目前，三星最先进的3D NAND产品为286层的V9，已于2024年开始量产。随着技术升级，V10将为数据中心提供更高性能的企业级固态硬盘（eSSD），进一步拓展人工智能（AI）市场。
对于相关传闻，三星方面仅表示正在根据内部计划推进准备，但未透露具体细节。
