据韩国媒体ZDnet Korea报道，三星正对其下一代430层堆叠的V10 NAND Flash量产计划进行重新评估。原计划在2025年下半年启动量产，但目前可能推迟至2026年上半年。这一延迟主要源于市场需求的不确定性、新技术带来的高成本压力以及制程技术应用的实际困难。

V10 NAND Flash是三星存储技术的最新成果，其核心设计采用约430层堆叠的存储单元，比目前最先进的V9 NAND（约290层堆叠）提升了100多层。然而，由于关键制程设备供应链尚未敲定，量产计划受到阻碍。尤其是极低温蚀刻技术的应用成为主要瓶颈。

蚀刻是半导体制造中的关键步骤，用于在晶圆上精确移除多余材料。V10 NAND的蚀刻需要在极低温环境下进行，业界曾预期需达到零下60至零下70摄氏度。然而，三星与供应商Lam Research和日本TEL合作的试生产结果显示，极低温技术难以直接应用于大规模量产。因此，三星正尝试调整蚀刻温度，并重新进行设备评估。

据消息人士透露，蚀刻技术的额外评估预计将在2025年下半年展开，而供应链的最终确立和量产投资可能要等到2026年第一季度。此外，新设备的高成本也是三星推迟投资的重要原因。