ASML正研发更先进光刻机,目标2035年需求
来源:林慧宇 发布时间:2025-06-27 分享至微信
据日经亚洲报道,荷兰半导体设备制造商ASML的技术执行副总裁Jos Benschop透露,公司已启动下一代尖端光刻机的研发工作,以满足未来十年芯片行业的需求。

目前,ASML正与光学合作伙伴卡尔蔡司合作,研究能够单次曝光实现5nm分辨率的设备。Benschop表示,这项技术将足够先进,可满足2035年及以后的行业需求。最近,ASML已开始交付最先进的光刻机,其单次曝光分辨率可达8nm。而精度较低的设备需要多次曝光才能达到类似分辨率,这不仅降低了生产效率,还影响了芯片质量。

数值孔径(NA)是衡量光学系统聚焦能力的重要指标,数值孔径越大,印刷精度越高。ASML现有极紫外(EUV)光刻机的数值孔径为0.33,而最新“High NA”光刻机的数值孔径为0.55。未来,ASML计划开发数值孔径达到0.7或更高的“Hyper NA”光刻机,这将需要对多个关键系统进行重新设计。


Benschop指出,高数值孔径EUV光刻机的大规模应用仍需时间,因为行业需要对这些复杂系统进行测试和验证,并开发相关支持材料和工具。预计这些设备将满足行业需求至本十年末,甚至可能延续到2030年代初。

在合作伙伴方面,日本化学和材料制造商在光刻技术中扮演了重要角色。例如,JSR是优质光刻胶的主要供应商,豪雅、凸版印刷和DNP提供高端光掩模,京瓷和三井化学则分别提供关键组件和防护膜。Benschop还强调了与全球顶级芯片客户如日本索尼和Rapidus的合作重要性。

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