据韩国科学技术院（KAIST）电气工程教授Joungho Kim透露，到2029年HBM5实现商业化时，散热技术将成为高带宽存储器（HBM）市场竞争的核心。存储器制造商之间的竞争将从封装技术转向散热解决方案。

在由KAIST Teralab实验室主办的活动中，Joungho Kim指出，当前封装技术是半导体市场主导地位的关键，但随着HBM5的出现，散热技术的重要性将显著提升。该实验室还分享了一份2025年至2040年的技术路线图，涵盖HBM架构、散热方式、硅通孔（TSV）密度和中介层等核心技术。

图源：韩国科学技术院

Joungho Kim表示，HBM4时代的基础裸片已开始承担部分GPU工作负载，这导致其温度升高，散热问题变得更加突出。HBM5将采用浸没式冷却技术，通过将基础裸片和封装体完全浸入冷却剂中来提升散热效果，而当前液冷方式仅限于封装体顶部的散热器，存在明显局限性。

此外，HBM未来还将引入多种新型通孔结构，包括热通孔（TTV）、栅极TSV和电源通孔（TPV）。到HBM7时代，嵌入式冷却技术将成为主流，冷却液将被直接注入DRAM芯片之间，这需要专门设计的流体TSV结构。同时，HBM7还将结合高带宽闪存（HBF）技术，通过3D堆叠NAND闪存提升性能。而HBM8更进一步，将直接把HBM堆叠在GPU芯片顶部。

Joungho Kim强调，除散热技术外，键合工艺也将成为HBM竞争力的重要因素。从HBM6开始，玻璃与硅的混合中介层将被引入，以满足更高性能需求。这些技术革新将为存储器市场带来新的挑战与机遇。