据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，三星电子正考虑将第十代（V10）3D NAND Flash的量产设备投资推迟至2026年上半年。此前，业界普遍预期三星将在2025年下半年启动相关投资，但目前来看，这一计划可能因多种因素而延后。

三星V10是堆叠430层等级的新产品，相较于目前已商业化的V9，堆叠层数高出100层以上。然而，高堆叠NAND需求的不确定性、新技术导入成本的压力，以及量产良率问题，成为三星推进V10投资的主要障碍。

此外，三星在设备供应链方面也面临挑战。截至目前，三星尚未敲定用于V10量产的蚀刻设备供应链。据悉，三星已向科林研发（Lam Research）和日本Tokyo Electron（TEL）等设备厂商引进了极低温蚀刻设备，并正在进行品质评估。然而，实际评估结果显示，极低温蚀刻技术短期内难以直接应用于量产，因此三星需要调整设备并重新进行评估。预计供应链的最终敲定和实际量产投资最快要到2026年第一季度才能完成。

值得注意的是，三星目前的NAND蚀刻制程主要依赖科林研发的设备。若将TEL纳入供应链，虽然有助于分散设备采购风险，但也可能导致现有设备利用率下降，同时增加不同品牌设备兼容性的技术难度。