6月5日，上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）迎来重要里程碑：国内首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在其光子芯片中试线成功下线。同时，研究院实现了超低损耗、超高带宽的薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产，关键技术指标达到国际先进水平。

薄膜铌酸锂作为一种高性能光电材料，具有超快电光效应、高带宽、低功耗等优势，在5G通信、量子计算等领域应用潜力巨大。由于其材料脆性大，大尺寸晶圆的制备和量产化工艺面临诸多挑战，包括纳米级加工精度控制、薄膜沉积均匀性保证以及刻蚀速率一致性调控等难题。

为攻克这些技术瓶颈，CHIPX工艺团队依托国内首条光子芯片中试线，引进了110余台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖从光刻、薄膜沉积、刻蚀到封装测试的全闭环工艺流程。通过创新性开发芯片设计、工艺方案与设备系统的协同适配技术，团队成功打通了从光刻图形化、精密刻蚀到封装测试的全制程工艺，实现了晶圆级光子芯片集成工艺的重大突破。

据CHIPX介绍，研究院于2022年12月启动中试线建设，并于2024年9月正式启用集光子芯片研发、设计、加工和应用于一体的中试平台。如今，首片晶圆成功下线，量产通线的实现充分展现了项目建设的高效性与成果。未来，研究院将依托中试平台，联合产业链合作伙伴，推动规模化量产进程，构建“技术研发-工艺验证-规模量产”的全链条能力，进一步提升我国在量子科技领域的国际竞争力。