武汉投产国内最大碳化硅半导体基地,年产36万片晶圆
来源:赵辉 发布时间:3 天前
分享至微信

5月29日,长飞先进武汉基地正式投产首批碳化硅晶圆,成为我国规模最大的碳化硅半导体生产基地。该基地预计占国产碳化硅晶圆总产能的30%,为新能源产业解决芯片短缺问题提供了有力支持。
作为武汉东湖科学城首个百亿级半导体项目,长飞先进武汉基地从一片荒地到实现量产仅用了18个月。该项目吸引了超过20家配套企业入驻,形成了涵盖设备、材料、封测的完整产业链。基地总投资超过200亿元,首期项目专注于第三代半导体功率器件的研发与生产,年产能可达36万片6英寸碳化硅晶圆,预计能满足144万辆新能源汽车的制造需求。
[ 新闻来源:赵辉,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!


赵辉
开创IC领域,共创美好未来!
查看更多
相关文章
河北同光科技碳化硅项目投产,年产7万片衬底
2025-04-21
同光科技年产7万片碳化硅单晶衬底项目竣工
2025-04-28
基本半导体发布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-06
日本两大巨头推出碳化硅功率半导体模块
2025-05-06
热门搜索