据台媒报道，南亚科技正加速在AI DRAM领域的布局，希望在三大原厂全力争夺高带宽存储器（HBM）市场的同时，通过定制化领域抢占市场份额。

南亚科技总经理李培瑛指出，AI应用内存的四大关键要素包括高密度先进DRAM、3D TSV硅通孔技术与多芯片封装、HBM设计能力以及逻辑Base Die。目前，南亚科技已完成高密度先进DRAM技术的部署，并与合作伙伴补丁科技、福懋科技共同推进TSV技术和封装工艺。至于HBM设计和逻辑制程Base Die，南亚科技计划通过战略性投资与合作的方式实现突破。

据透露，南亚科技的定制化DRAM项目预计最快可在2026年完成验证，并有望在2026年底至2027年间为公司带来业绩贡献。