近日，成都士兰半导体制造有限公司承担的四川省重点研发项目“12英寸硅片超重掺杂及多层外延生长技术”顺利通过结题验收。

该项目依托成都士兰自主开发的硅外延工艺技术平台，联合高校开展技术攻关，在理论创新、技术创新和应用创新方面取得突破。通过基础材料开发、工艺优化和加工精度提升，项目成功实现了12英寸硅外延片的超重掺杂及多层连续外延生长技术的设计与制造验证，并推动其量产与产业化示范应用。

成都士兰长期坚持技术创新驱动发展，持续加大研发投入，已成立多个技术研究中心。近年来，公司先后获得“四川省半导体功率模块封装工程技术研究中心”“四川省硅基半导体薄膜材料工程研究中心”“四川省企业技术中心”等授牌，不断提升自主创新能力与核心竞争力。