三星力争HBM芯片通过英伟达审核,欲在AI加速器市场发力
来源:万德丰 发布时间:2025-05-07
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据消息人士透露,三星在今年3月成功通过了GPU巨头英伟达的审核,其HBM芯片在测试中达到了英伟达的最低要求。这一进展让三星对其HBM芯片在后续潜在客户的质量测试中充满期待。
温阳是三星的核心后端处理工厂,负责DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器等芯片的封装与测试。在质量测试之前,客户通常会先进行审核,以评估芯片的电气性能、物理特性、散热能力、使用寿命以及对意外事件的响应能力。
目前,英伟达在其最新的AI加速器中使用的是12层HBM3E芯片,主要由SK海力士供应。由于三星在HBM市场上的表现逊色于SK海力士,其盈利能力也受到明显影响。数据显示,三星芯片业务在2024年第二季度的营业利润为6.5万亿韩元,但第三季度下降至3.9万亿韩元,第四季度进一步降至2.9万亿韩元。
今年6月的质量测试对三星芯片业务负责人全永铉(Jun Young-hyun)来说具有特殊意义,这标志着他执掌芯片业务已满一年。全永铉此前曾表示,他的目标是恢复三星在DRAM领域的竞争力。作为存储业务的负责人,他还主导了三星HBM技术的开发。今年2月,三星带着改进的10nm 1b DRAM样品访问了英伟达。
三星计划在今年晚些时候推出HBM4,这款芯片将是HBM3E的继任者,有望帮助三星在AI加速器市场中占据更有利的位置。
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