据韩媒Ddaily援引业界消息，三星电子已正式进入停产第三代高带宽存储器（HBM2E）的阶段，并向客户发出最后订单接收通知。这一决定被外界解读为三星在存储器市场中调整业务结构，以应对中国存储器厂商低价竞争压力的战略举措。

HBM2E是一种性能优于HBM2的存储器产品，广泛应用于高效运算（HPC）、人工智能（AI）和数据中心等领域。然而，随着长江存储、长鑫存储等厂商以低价策略抢占市场，通用存储器产品线的盈利能力显著下降，HBM2E也面临价格下跌压力。为此，三星选择加速转向第五代（HBM3E）和第六代（HBM4）高带宽存储器的研发和生产。

目前，三星正全力推进HBM4的开发与验证工作，计划于2026年中期向主要客户供应样品。预计从2026年起，NVIDIA的Rubin和AMD的MI400等新一代AI GPU将搭载HBM4，存储器厂商之间的竞争也将更加激烈。

值得注意的是，三星在HBM4中计划采用混合键合（Hybrid Bonding）技术，但有韩国业内人士透露，SK海力士已提前应用该技术并提高了生产效率。若三星无法迅速追赶，其与SK海力士在AI存储器市场的差距可能进一步扩大。

此外，三星还公开了第七代高带宽存储器（HBM4E）的开发蓝图，目标是实现每个针脚（pin）速度10Gbps及带宽2.5TB/秒的性能指标。同时，基于1y、1z纳米制程的8Gb DDR4产品预计于2025年4月进入产品寿命结束阶段。