据Tom's Hardware报道，国际半导体标准组织JEDEC近日正式发布了HBM4高带宽存储器标准。这一新标准旨在满足人工智能（AI）、高效能运算（HPC）以及数据中心应用对存储器性能的快速增长需求。

HBM4在HBM3的基础上进行了多项优化升级。其界面带宽提升至2,048位元，传输速率达到每秒8Gb，总带宽最高可达每秒2TB。同时，堆叠层内的独立通道数量从16个增加到32个，每个通道还包含两个伪通道，显著提升了数据存取的灵活性和多任务并行能力。

在能耗方面，HBM4支持多种供应商自定义电压选项，包括0.7V至0.9V的VDDQ以及1.0V或1.05V的VDDC，能够根据不同系统需求降低功耗，提高能效表现。此外，HBM4兼容现有的HBM3控制器，为系统设计和部署提供了更高灵活性。

HBM4还引入了定向刷新管理（DRFM）功能，增强了对Rowhammer攻击的防护能力，并提升了存储器的可靠性、可用性和可维修性（RAS）。在容量支持上，HBM4可支持4层至16层堆叠，单颗晶粒密度为24Gb或32Gb，单一结构最高容量可达64GB，满足了AI与HPC应用对高密度存储的需求。

架构层面，HBM4分离了指令与数据汇流排，进一步提升了并行性并降低了延迟，优化了多通道运算性能。同时，全新设计的物理界面和信号完整性方案，也为更高传输速率和通道效率提供了保障。

HBM4由三星电子、美光和SK海力士等存储器巨头联合设计。三星已宣布计划在2025年量产HBM4产品，以满足AI芯片和云端运算领域对高性能存储器的强劲需求。