韩美半导体（Hanmi Semiconductor）近日宣布推出一款专用于生产第六代高带宽存储器（HBM4）的热压键合机（TCB），型号为TC BONDER 4。据韩媒Chosun Biz和Ddaily等报道，这款设备为HBM4量身打造，能够满足更高精密度的生产需求，其性能和效率较同类竞争产品有显著提升。

全球存储器制造商预计将在2025年下半年开始量产HBM4。与HBM3E相比，HBM4的运行速度提高了60%，功耗仅为HBM3/HBM3E的70%。此外，HBM4支持最高16层堆叠，单颗DRAM容量从24Gb扩展至32Gb，同时数据传输通道矽穿孔（TSV）界面数量增加到2048个，大幅提升了处理器与存储器之间的数据传输效率。

韩美半导体会长郭东信表示，2025年下半年，NVIDIA计划推出下一代产品Blackwell Ultra，该产品将通过韩美半导体的TCB设备进行生产。这一合作进一步巩固了韩美半导体在全球HBM用TCB设备市场的领先地位。

值得注意的是，HBM4的生产对高难度焊接技术提出了更高要求。此前有观点认为，HBM4的量产需依赖混合键合（Hybrid Bonding）技术。然而，近期国际半导体标准组织（JEDEC）将HBM4的标准高度放宽至775微米（µm），使得基于TC Bonder的制造工艺成为可能，这也为韩美半导体带来了直接利好。

截至目前，韩美半导体已申请了约120项与HBM设备相关的专利。在12层HBM3E用TCB设备市场中，其市占率超过90%，显示出其在高端存储器生产设备领域的强大竞争力。