由北京大学与中国人民大学科研团队联合研发的一项新技术，成功突破了硒化铟材料晶圆级集成制造的国际难题。这项成果于18日在线发表于《科学》杂志，为开发高性能、低功耗芯片提供了全新方向。

硒化铟作为一种二维层状半导体材料，因其高迁移率和快速热速等优异性能，被视为可能取代硅基芯片的理想材料。然而，长期以来，如何实现硒化铟的大面积、高质量制备，一直是国际半导体领域的技术瓶颈。据北大物理学院凝聚态物理与材料物理研究所所长刘开辉介绍，制备高质量硒化铟的关键在于确保硒原子和铟原子数量严格达到1:1的比例。传统方法因两种原子“蒸发”速率不同，难以满足这一要求。

研究团队创新性提出了一种“固-液-固”相变生长方法，通过密封容器加热，利用液态金属铟形成“蒸笼”效应，实现原子比例的精准控制。刘开辉形象地比喻道：“这种方法就像蒸馒头，将蒸汽封在容器里，盖子盖严实，确保内部结构焕然一新。”最终，团队成功制备出直径5厘米的高质量硒化铟晶圆，并构建了高性能晶体管阵列。

据北大电子学院研究员邱晨光介绍，基于该技术的器件在电学性能和能效方面分别达到3纳米硅基芯片的3倍和10倍。《科学》杂志审稿人评价称，这是晶体生长领域的一项重要突破。未来，该技术有望在人工智能、自动驾驶和智能终端等领域实现广泛应用。